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技術介紹：
等離子體是一種內部包括大量電子、離子、原子、分子的混合物，呈現(xiàn)電導性，被看作是除固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)三種物質形態(tài)外的第四種形態(tài)，其性質與其他三種物質存在形態(tài)有很大差異。氣體溫度、電子密度是表征等離子體的基本參數(shù)。對這些參數(shù)的測量，是研究等離子體的重要過程。
氣體溫度的確定通常使用分子譜帶擬合的方法[1-2]。該方法主要基于分子轉動能級的數(shù)量分布與周圍重粒子熱運動（由氣體溫度決定）直接相關的原理，當分子轉動能級的數(shù)量分布達到熱平衡狀態(tài)時，分子轉動溫度與等離子體的氣體溫度一致。通過對分子的轉動輻射譜帶的擬合，可以得到分子的轉動溫度，從而得到等離子體氣體溫度[3]。
電子密度是表征等離子體性質的另一個重要參數(shù)。分析原子譜線的斯塔克展寬（Stark Broadening）是確定等離子體電子密度的一種常用手段[4]，其中氫原子譜線的斯塔克展寬由于受電子溫度和氣體溫度影響微弱，同時與電子密度成線性關系，氫原子譜線的斯塔克展寬分析已經發(fā)展成為一種較成熟的電子密度診斷技術。
本文利用卓立漢光發(fā)射光譜測量系統(tǒng)，對大氣壓低溫等離子體射流進行光學診斷，獲得等離子體射流的氣體溫度與電子密度，從而為后續(xù)的研究奠定基礎。
產品應用：
大氣壓低溫等離子體射流實驗裝置由高壓脈沖電源、等離子體射流發(fā)生器、卓立發(fā)射光譜測量系統(tǒng)、電參數(shù)測量系統(tǒng)和供氣系統(tǒng)構成，如圖1所示。高壓電極放置在單端封口的石英玻璃管中，其底端距離地電極20mm。高壓脈沖電壓峰值14kV，頻率2kHz，脈寬500ns。工作氣體為氬氣，流速2.5L/min。卓立漢光發(fā)射光譜測量系統(tǒng)由卓立漢光Omni-λ750i光譜儀與科學級像增強型相機IsCMOS構成，IsCMOS相機也可單獨連接鏡頭做像增強高速相機使用，如圖2所示。
圖1：Ar等離子體射流裝置示意圖
圖2：卓立發(fā)射光譜測量系統(tǒng) (a)光譜儀與IsCMOS聯(lián)用；(b)IsCMOS作增強高速相機用。
利用IsCMOS拍攝的單個脈沖放電照片如圖3所示。設置相機曝光時間為500ms，關閉IOC,單次觸發(fā)采集。利用信號發(fā)生器外觸發(fā)相機，頻率2kHz，與高壓脈沖電源同步。門延時(delay)設置180ns，門寬(width)設置550ns。由圖3可以發(fā)現(xiàn)，氬氣射流放電在一個電壓周期中呈現(xiàn)絲狀，類似電弧的放電通道。
圖3：單個脈沖下Ar等離子體射流照片
同時，實驗過程中采集了Ar等離子體射流放電電壓電流波形，如圖4所示。其中，放電電流為總電流減去位移電流。從圖中可以發(fā)現(xiàn)Ar等離子體射流在一個脈沖周期內存在兩次放電，分別發(fā)生在上升沿和下降沿，且上升沿的放電持續(xù)時間較長。
圖4：Ar等離子體射流放電電壓電流波形
圖5展示了Ar等離子體射流在250nm-900nm范圍內的發(fā)射光譜。測量過程中利用凸透鏡將等離子體的發(fā)射光匯聚進入光譜儀入射狹縫，狹縫寬度50μm，光柵刻度1200g/cm。從發(fā)射光譜中可以明顯觀察到N2、OH、O原子、Ar等粒子的發(fā)射譜線。
圖5：Ar等離子體射流發(fā)射光譜
大氣壓等離子體的光譜線寬主要由幾種展寬機制形成，分別為：自然展寬、多普勒展寬、共振展寬、范德瓦爾斯展寬、斯塔克展寬。同時，對探測到的譜線輪廓進行分析，需要考慮光譜采集系統(tǒng)的儀器展寬。儀器展寬與多普勒展寬的輪廓是典型的高斯(Gaussian)分布，其他展寬機制導致的輪廓都是洛倫茲(Lorentzian)分布。在本實驗條件下，自然展寬和共振展寬相對于其他展寬機制的影響可以忽略不計[5]。
儀器展寬(ΔλI)測量擬合光譜如圖6所示。在實驗條件下測定低壓汞燈在577nm與579nm處的特征譜線，經過Gaussian擬合，得到儀器展寬ΔλI=0.1150nm。
圖6：儀器展寬測量與擬合
多普勒展寬是(ΔλD)由激發(fā)態(tài)原子的熱運動而產生。當激發(fā)態(tài)原子熱運動速度滿足麥克斯韋分布時，多普勒展寬可以由式(1)計算得到[6]：
其中，λ0為譜線中心波長，M為激發(fā)態(tài)原子的原子質量，Tg為等離子體氣體溫度。
范德瓦爾斯展寬(ΔλW)由激發(fā)態(tài)原子和周圍基態(tài)原子誘導偶極之間的偶極相互作用產生，其線型為洛侖茲線型，可由式(2)計算得到[7]：
其中p表示氣壓，在大氣壓條件下p=1。
高斯分布的展寬(ΔλG)和洛倫茲分布的展寬(ΔλL)可由式(3)、式(4)計算得到：
在計算得到高斯線寬的基礎上，對實驗測量得到的Hα譜線進行反卷積，得到洛倫茲展寬，減去范德瓦爾斯展寬后即得到斯塔克展寬。利用式(5)可得到等離子體電子密度[8-9]：
圖7展示了N2(C3Πμ-B3Πg)(Δν=0)的模擬光譜和實驗光譜的最佳擬合結果。根據N2(C-B)的擬合結果，氣體溫度約等于轉動溫度，取Tg=740K。計算得到多普勒展寬ΔλD=0.0128nm，因此高斯展寬ΔλG=0.1157nm。
圖8給出了Ar等離子體射流在650nm-662nm范圍內的Hα譜線，以及進行Voigt擬合的結果，可以得出洛倫茲展寬ΔλL=0.5500nm。減去范德瓦爾斯展寬ΔλW=0.0353nm，得到斯塔克展寬ΔλS=0.5147nm。根據式(5)計算得到，實驗中使用的Ar等離子體射流的電子密度約為3.28×1016 cm-3。
圖7：Ar等離子體射流N2(C3Πμ-B3Πg)(Δν=0)實驗與模擬光譜
圖8：Hα發(fā)射光譜測量與擬合
參考文獻
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[3] Bruggeman P, Verreycken T, Gonzalez M A, et al. Optical emission spectroscopy as a diagnostic for plasmas in liquids: opportunities and pitfalls[J]. Journal of Physics D: Applied Physics, 2010, 43(12): 124005.
[4] Griem H R, Peach G. Spectral line broadening by plasmas[J]. 1975.
[5] 熊青.大氣壓低溫等離子體射流的研究[D].華中科技大學,2013.
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[9] Zhu J, Gao J, Li Z, et al. Sustained diffusive alternating current gliding arc discharge in atmospheric pressure air[J]. Applied Physics Letters, 2014, 105(23).
作者簡介
聶蘭蘭，博士，華中科技大學副教授，博士生導師。主要研究方向為大氣壓低溫等離子體放電機理研究、等離子體活性成分的診斷、大氣壓低溫等離子體生物醫(yī)學應用及小型化等離子體發(fā)生裝置的研發(fā)。主持國家自然科學基金青年項目1項，主持并結題博士后基金1項，參與了多項國家自然科學基金面上項目及國防基金。以第一作者和通訊作者發(fā)表SCI期刊論文20多篇，申請發(fā)明專*6項。
張睿之，華中科技大學電氣與電子工程學院低溫等離子體實驗室在讀碩士生。實驗室主要研究方向包括氣體放電、水中放電、氣液兩相放電物理基礎研究，低溫等離子體在能源、環(huán)境、及生物醫(yī)學方面的應用研究，各種高壓脈沖電源的研制。
